大比特商务网 |资讯中心 |技术论坛 |解决方案 登录 注册 |数字刊 |招聘/求职
广告
广告
您的位置:LED 照明方案网 >行业新闻>

大手笔!Cree将投资10亿美元扩大SiC碳化硅产能

2019-05-08 11:51:01 来源:中国LED网

【大比特导读】CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。

5月7日,CREE, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布,作为公司长期增长战略的一部分,将投资10亿美元(折合人民币约67.8亿元)用于扩大SiC碳化硅产能,在公司美国总部北卡罗莱纳州达勒姆市建造一座采用最先进技术的自动化200mm SiC碳化硅生产工厂和一座材料超级工厂。其中,4.5亿美元用于North Fab;4.5亿美元用于材料超级工厂(mega factory);1亿美元用于伴随着业务增长所需要的其它投入。

这项投资是Cree迄今为止最大的投资,将为Wolfspeed SiC碳化硅和GaN-on-SiC碳化硅基氮化镓业务提供动能。在2024年全部完工之后,这些工厂将极大增强公司SiC碳化硅材料性能和晶圆制造产能,使得宽禁带半导体材料解决方案为汽车、通讯设施和工业市场带来巨大技术转变。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示:“我们不断地看到在汽车和通讯设施领域采用SiC碳化硅的优势来驱动创新所产生的巨大效益。但是,现有的供应却远远不能够满足我们对于SiC碳化硅的需求。今天,我们宣布了公司迄今在生产制造的最大投资,将大幅地提升供应,帮助客户为市场提供变革性的产品和服务。这项在设备、基础设施、公司人力方面的巨大投入,将为我们显著扩大产能。与2017财年第一季度(也就是我们开始扩大产能的第一阶段)相比较,能够带来SiC碳化硅晶圆制造产能的30倍增长和材料生产的30倍增长。我们相信这将使得我们能够满足Wolfspeed SiC碳化硅材料和器件在未来5年乃至更长远的预期增长。”

这项计划将为业界领先的Wolfspeed SiC碳化硅业务提供附加产能。通过增建现有的建筑设施,作为面积253,000平方英尺的200mm功率和RF射频晶圆制造工厂,迈出满足预期市场需求的第一步。新的North Fab将被设计成能够全面满足汽车认证的工厂,其生产提供的晶圆表面积将会是今天现有的18倍,刚开始阶段将进行150mm晶圆的生产。公司将把现有在达勒姆的生产和材料工厂转变为一座材料超级工厂。

Cree首席执行官Gregg Lowe先生同时还表示:“这些SiC碳化硅制造超级工厂,将加速当今最快增长市场的创新。通过提供解决方案,帮助提高EV电动汽车的行驶里程并减少充电时间,同时支持5G网络在全世界的部署。我们相信这代表着SiC碳化硅和GaN氮化镓技术和制造有史以来最大的资本投资,也是一种在财政上负责任的方式。通过采用现有工厂和安装绝大部分的整新工具,我们相信我们可以实现提供最先进技术的200mm fab,并且成本大约仅为一座新fab的1/3。”

扩大的园区将创造高科技就业机会,并提供先进制造人才发展计划。Cree计划与州、当地和四年制院校开展培训项目,为新工厂所带来的长期、高端就业和成长机遇提供人才储备。

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,

我们将及时更正、删除,谢谢。

分享到:
阅读延展
SiC GaN 半导体
  • 凭借独特技术,ALLOS开发出硅基氮化镓Micro LED晶圆

    凭借独特技术,ALLOS开发出硅基氮化镓Micro LED晶圆

    ALLOS 的技术长 Atsushi Nishikawa 博士指出,公司的前身 AZZURRO 已率先在市场上推出了 150mm 商用产品,后来又推出了 200mm GaN-on-Si 外延片。下一个挑战自然是生产 300mm 外延片。当为如此大的芯片设计的首个反应器 Veeco ImPulse 面世时,ALLOS便着手应对这一挑战。

  • RF半导体年复合增长率高达8.5%,爆发式增长GaN速度最快

    RF半导体年复合增长率高达8.5%,爆发式增长GaN速度最快

    先进的射频设备在雷达和电子战(EW)系统中的重要性日益提高,预计在 5G 应用中,尤其是在基站功率放大器中,GaN 将获得更大的吸引力,从而在预测期间推动 GaN 市场,正推动着射频半导体行业的发展。特别是,在中国,日本和韩国等国家,RF 半导体对消费类设备的需求量很大。

  • 华润微电子整合再出发,12英寸产能扩建即将启动

    华润微电子整合再出发,12英寸产能扩建即将启动

    功率器件是华润微电子的核心业务,目前正在积极布局 GaN、SiC 等器件产品,另外今年计划在重庆启动 12 英寸晶圆生产线建设。有机构认为,重庆 12 英寸项目的启动,将极大推动国产装备和材料的认证工作,促进中国半导体产业发展。

  • VisIC推出基于D3GaN, 800V电源总线的100kW电机逆变器参考设计

    VisIC推出基于D3GaN, 800V电源总线的100kW电机逆变器参考设计

    VisIC Technologies Ltd.宣布将氮化镓用于 800V 电源总线电动机逆变器,由于GaN (氮化镓) 技术与其它宽禁带技术相比成本较低,并且基于 VisIC 独特的 D3GaN 技术,可在在牵引逆变器等大功率应用中也可以实现高功率密度。”

  • GaN引关注,多家企业积极部署

    GaN引关注,多家企业积极部署

    近年来半导体材料(WBG)─氮化镓、碳化硅等新一代半导体材料应运而生,氮化镓应用的逐步扩大,规模化效应会逐步凸显,渗透率会加速上升,引发了多家厂商对氮化镓的关注。

  • 小米发布氮化镓充电器 推动平板变压器需求热

    小米发布氮化镓充电器 推动平板变压器需求热

    GaN产品在小米、华为等行业巨头的带动下,其消费电子渗透率逐步提升,并在5G基建刚需的带动下,成本下降,应用场景将进一步扩大到5G基站、新能源汽车、激光雷达、数据中心等,这给平板变压器未来应用场景带来更多可能。

  • 两大半导体项目落户南京江北新区 将完善集成电路完整产业链

    两大半导体项目落户南京江北新区 将完善集成电路完整产业链

    近日,超芯星半导体项目和中安半导体项目落户南京江北新区,其中超芯星半导体主要从事6-8英寸SiC碳化硅芯片衬底研发及产业化,是国内领先的碳化硅材料供应商,碳化硅作为三代半导体材料,中安半导体拥有国内领先的检测设备研发能力。项目团队拥有硅片检测核心技术。

  • MEMS传感器在汽车电子中的应用

    MEMS传感器在汽车电子中的应用

    MEMS技术是随着半导体集成电路微细加工技术和超精密机械加工技术的发展而发展起来的,它开辟了一个全新的技术领域和产业。

  • 半导体产业链遭受严重冲击,我的中国“芯”面临两难

    半导体产业链遭受严重冲击,我的中国“芯”面临两难

    随着疫情全球肆虐,投资资本对于半导体行业产生恐慌情绪,加上目前东南亚是全球封测产业的重要基地,受疫情影响很多东南亚国家隔离封锁,封测产能趋紧,因此短期来看,2020 年半导体产业发展面临的不确定性因素仍然较多。

  • 概伦电子完成A轮融资,加速发展国产EDA产业实力

    概伦电子完成A轮融资,加速发展国产EDA产业实力

    目前概伦电子完成A轮融资,并通过这次投资,推动概伦电子在高端 EDA 工具能在加速产品设计、掌控产品良率等方面,目前概伦电子已经成长为高端半导体器件建模、大规模高精度集成电路仿真和优化、和半导体噪声测试解决方案的全球领导厂商

  • 小摩改口:半导体市场今年将下跌6%|半导体|行业

    小摩改口:半导体市场今年将下跌6%|半导体|行业

    受到疫情危机影响,导致全球半导体需求降温,并对全球技术供应链产生了深刻影响,其中预期半导体厂恐面临遭砍单,短期内全球半导体市场收入同比下降6%,但供应链将在夏季开始复苏,届时隔离和旅行禁令将会放松。

  • 半导体技术新进展,石墨烯量子点技术再上层楼

    半导体技术新进展,石墨烯量子点技术再上层楼

    蔚山科学技术研究院(UNIST)表示垂直隧道环单电子晶体管”不论从物理角度、化学角度来看稳定性都很高,导电效率也相当好,特别的是目前为止石墨烯量子点一直都是使用化学的液相剥离法,或是物理性的球磨法来制成。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 1999-2013 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任